Модуль памяти Samsung DDR3 1066 DIMM 1Gb

Модуль памяти Самсунг DDR3 1066 DIMM 1Gb

Главные особенности модуля памяти Самсунг DDR3 1066 DIMM 1Gb

DDR3 1066 (PC 8500) DIMM 240-контактный, 1×1024 Мб

Описание модуля памяти Самсунг DDR3 1066 DIMM 1Gb

Частота функционирования

  • до 1066 МГц

    Тип

  • DDR3

    Эталон памяти

  • PC3-8500

    Пропускная способность

  • 8500 Мб/сек

    Тайминги

  • CL7

    Напряжение питания

  • 1.5 В

    Проверка и корректировка ошибок (ECC) нет (Non-ECC)

    Буферизация (Registered) нет (unbuffered)

    Технические свойства модуля памяти Самсунг DDR3 1066 DIMM 1Gb

  • Форм-фактор: DIMM 240-контактный
    Объем: 1 модуль 1024 Мб
    Тип памяти: DDR3
    Тактовая частота: 1066 МГц
    Поддержка ECC: нет
    Буферизованная (Registered): нет
    Низкопрофильная (Low Profile): нет
    Пропускная способность: 8500 Мб/с

    Аналогичные записи: Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

    Оставить комментарий

    Вы должны быть авторизованы, чтобы разместить комментарий.